Group III-Nitride Nanowires for Optoelectronic Control of Nitrogen-Vacancy Centers in Diamond
Produktinformationen "Group III-Nitride Nanowires for Optoelectronic Control of Nitrogen-Vacancy Centers in Diamond"
Nanowires are used to overcome limitations of epitaxial thin film growth, and to improve the crystal quality of semiconductors. Here, group III-nitride nanowires were employed for two approaches: (i) The development of highly-strained coaxial heterostructures to explore novel optoelectronic and sensing applications; (ii) Exploiting the intrinsic waveguide geometry and electronic properties of gallium nitride nanowires to improve the read-out performance of nitrogen-vacancy centers in diamond.
| Autor: | Hetzl, Martin |
|---|---|
| ISBN: | 9783946379133 |
| Verlag: | Verein zur Förderung des Walter Schottky Instituts der Technischen Universität München |
| Sprache: | Englisch |
| Seitenzahl: | 231 |
| Produktart: | Kartoniert / Broschiert |
| Erscheinungsdatum: | 01.08.2018 |
| Verlag: | Verein zur Förderung des Walter Schottky Instituts der Technischen Universität München |
| Schlagworte: | Diamond GaN Nanowires Physik |